Nguyên lý phân tích
Bản thân của mỗi lớp phủ sẽ phát ra tia X có
năng lượng khác nhau, năng lượng này & độ dày của vật liệu lớp phủ có mối tương
quan với nhau. Độ dày của lớp phủ được xác định bởi năng lượng của huỳnh quang tia
X bị hấp thụ.
Đặc
tính sản phẩm
Đo độ dày lớp phủ, phân tích nguyên
tố độc hại và phân tích thành phần kim loại.
Dùng tia X để đo độ dày lớp phủ bằng
phương pháp đo không phá hủy, không tiếp xúc.
Phân tích đo lường các sản phẩm khác
nhau: Phân tích lớp phủ đơn, lớp phủ kép, lớp phủ hợp kim, dung dịch lớp phủ.
Định vị chính xác vị trí camera và
điểm đo lường thông qua chức năng điều khiển trục tự động, chức năng sắp đặt
giai đoạn tự động
Lĩnh vực ứng
dụng
Đo tại hiện trường/ Đo không phá hủy
Đo cho phụ tùng ô tô, bảng mạch điện tử,
đầu kết nối điện tử và các sản phẩm IT.
Đo lường thành phần lớp phủ giá trị
lớn với độ chính xác cao.
Đo lường chiều dày lớp phủ kim loại
qúy.
Nghiên cứu, phát triển, kiểm soát
chất lượng sản phẩm
Thông số kỹ thuật chính
Phương
pháp đo: Phân tích năng lượng X-ray phân tán
Loại mẫu: Nhiều lớp/ Rắn/ lỏng/ bột
Ống X-ray: Nguồn W 50kVp, 1mA
Bộ lọc: 5 bộ lọc tự động
Hệ thống phát hiện: SDD (Silicon Drift Detector), Si-Pin Diode(Peltier System)
Loại mẫu: Nhiều lớp/ Rắn/ lỏng/ bột
Ống X-ray: Nguồn W 50kVp, 1mA
Bộ lọc: 5 bộ lọc tự động
Hệ thống phát hiện: SDD (Silicon Drift Detector), Si-Pin Diode(Peltier System)
Năng
lượng giải phóng: 35 eV FWHM at Mn Kα
Nguyên tố
phát hiện: Na(11) ~ U(92)
Diện tích
vùng đo: 0.1, 0.2, 0.4, 0.5, 1 mm
Phần mềm
hệ điều hành: FP / Đường cong hiệu chuẩn, hấp thụ, huỳnh quang
Phương
pháp phân tích: 2stage CCD Camera
Hệ thống
điều khiển: Máy tính bàn, cổng giao tiếp USB, máy
tính xách tay
Kích
thuốc buồng mẫu: 500 X 470 X 200 mm (W x D x H), wide
PCB support
Khoảng
cách di chuyển mẫu: 200 X 200 X 150 mm
(X x Y x Z), wide PCB support
Kích
thước máy: 500 X 700 X 570 mm (W x D x H)
Nguồn
điện: 110/220 VAC 50~60Hz
Khối
lượng: 85Kg
Application-Reports
